反向导通绝缘栅双极晶体管和对应制造方法

摘要

用于制造反向导通绝缘栅双极晶体管的方法包括下列步骤：-在具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一导电类型的晶圆上，第二导电类型的第二层和至少一个第一导电类型的第三层(其被第二层环绕)在第一侧上形成。晶圆的在完成的RC-IGBT中具有未修改的掺杂的那部分构成第一层。-随后第五电绝缘层在第一侧上形成，其部分覆盖至少一个第三层、第二层和第一层。-导电第四层在第一侧上形成，其通过第五层与晶圆电绝缘。至少一个第三层、第四层和第五层采用这样的方式形成使得它们在第二层上使第一开口形成。-第一电接触在第一侧上形成，其与第二层和第三层直接电接触。-至少一个第二导电类型的第六层和至少一个第一导电类型的第七层在第二侧上形成。至少一个第六和第七层交替设置在平面中。-第二电接触在第二侧上形成，其与至少一个第六和第七层直接电接触。-在第四和第五层形成后形成为缺陷层的第九层通过在第一侧上使用至少第四和第五层作为第一掩模通过第一开口离子注入而形成。

主权项

一种用于制造反向导通绝缘栅双极晶体管(1)的方法，其特征在于在具有第一侧(131)和与所述第一侧(131)相对的第二侧(132)的第一导电类型的晶圆(13)上，所述晶圆(13)的在最终完成的反向导通绝缘栅双极晶体管中具有未修改掺杂的部分构成第一层(2)，第二导电类型的第二层(3)和至少一个第一导电类型的第三层(4)在所述第一侧(131)上形成，所述第三层(4)被所述第二层(3)环绕，随后电绝缘的第五层(6)在所述第一侧(131)上形成，其部分覆盖所述至少一个第三层(4)、所述第二层(3)和所述第一层(2)，导电的第四层(5、5’)在所述第一侧(131)上形成，其通过所述第五层(6)与所述晶圆(13)绝缘，所述至少一个第三层(4)、所述第四层(5、5’)和所述第五层(6)采用这样的方式形成使得它们在所述第二层(3)上方使第一开口(16)形成，第一电接触(10)在所述第一侧(131)上形成，其在所述第一开口(16)内与所述第二层(3)和所述第三层(4)直接电接触，至少一个第二导电类型的第六层(7)和至少一个第一导电类型的第七层(8)在所述第二侧(132)上形成，所述至少一个第六和第七层(7、8)交替设置在平面中，第二电接触(11)在所述第二侧(132)上形成，其与所述至少一个第六和第七层(7、8)直接电接触，并且其特征在于在所述第四和第五层(5、5’、6)形成后至少一个形成为具有缺陷中心的缺陷层的第九层(12、12’)通过在所述第一侧(131)上使用至少所述第四和第五层(5、5’、6)作为第一掩模(14)通过所述第一开口(16)离子注入而形成，其中所述缺陷中心没有被激活。