一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法

摘要

本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上形成保护层；去除位于所述衬底表面以上的填充层，以使得所述填充层仅保留在所述沟槽中；去除所述保护层。由于是通过淀积的方法，衬底和填充层的材料都不受限制，可以根据器件性能需求任意配置，具有通用性。此外，在保护层的掩盖下，沟槽内的填充层不会受到中间刻蚀工艺的损伤，保证了填充层的质量。

主权项

一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于所述第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上形成保护层；去除位于所述衬底表面以上的填充层，以使得所述填充层仅保留在所述沟槽中；去除所述保护层；形成所述保护层的步骤包括：在所述填充层的表面上形成保护层；进行平坦化处理至所述第一结构上的填充层露出；对所述保护层进行刻蚀，以使得所述保护层仅保留在所述沟槽上方的填充层上。