| 发明名称 | 深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆上采用旋涂工艺形成光刻胶层，同时采用去边溶剂去除晶圆边缘部分宽度的光刻胶层，所述光刻胶层的去除宽度为1.7~1.9毫米；对所述光刻胶层进行曝光和显影工艺形成图形化的光刻胶层。提高了光刻胶层边缘厚度和形貌的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102709175B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201210162523.7 | 申请日期 | 2012.05.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张怡;刘宪周 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆；在所述晶圆上采用旋涂工艺形成光刻胶层，同时采用去边溶剂去除晶圆边缘部分宽度的光刻胶层，所述光刻胶层的去除宽度为1.7～1.9毫米，且所述去边溶剂的喷射方向线在晶圆上的投影线与晶圆的边缘的切线平行；对所述光刻胶层进行曝光和显影工艺形成图形化的光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||