发明名称 硫化镉薄膜及具有硫化镉薄膜的太阳能电池的制备方法
摘要 本发明提供了一种硫化镉薄膜的制备方法,包括步骤:提供硫化镉薄膜;在硫化镉薄膜上形成氯化镉薄膜;以及在氯化镉气氛中进行热处理。通过以上制备方法,有效地减小了硫化镉薄膜的氧化,得到的硫化镉薄膜在衬底上横向结晶,且晶粒紧密排列。在应用于碲化镉太阳能电池中时,使得薄膜保持较高的禁带宽度,减少了电池短路的可能性,并进一步提高了电池的短路电流,载流子的收集效率和电池P-N结的品质,从而提升了太阳能电池的转换效率。
申请公布号 CN103268906B 申请公布日期 2016.06.01
申请号 CN201310194072.X 申请日期 2013.05.22
申请人 中国科学技术大学 发明人 王德亮;杨瑞龙;王德钊
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/073(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人 王立民
主权项 一种硫化镉薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供硫化镉薄膜;在硫化镉薄膜上制备氯化镉薄膜;以及在氯化镉气氛中进行热处理,所述热处理的温度范围为390‑430℃,所述热处理的时间范围为10‑30分钟,所述热处理的载气为惰性气体和氧气的混合气体,气压范围为2‑50kPa,氧气分压小于50%;去除残留的氯化镉薄膜。
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号