| 发明名称 | 射频装置封装及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种射频装置封装及其制造方法。该射频装置封装包括基座；以及射频装置芯片，固接于该基座上，其中该射频装置芯片包括半导体基底，该半导体基底具有前侧和后侧；射频构件，设置于该半导体基底的该前侧；互连结构，设置于该射频构件上，其中该互连结构电性连接至该射频构件，且该半导体基底的厚度小于该互连结构的厚度；通孔，从该半导体基底的该后侧穿过该半导体基底形成，且连接至该互连结构；以及硅通孔结构，设置于该通孔内。本发明所提出的射频装置封装及其制造方法，可改善射频装置的RF损失和低线性度等缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN103681627B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201310363249.4 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 杨明宗;洪建州;李东兴;黄伟哲;黄裕华 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 白华胜;段晓玲 |
| 主权项 | 一种射频装置封装，其特征在于，包括：基座；以及射频装置芯片，固接于该基座上，其中该射频装置芯片包括：半导体基底，具有前侧和后侧；射频构件，设置于该半导体基底的该前侧；互连结构，设置于该射频构件上，其中该互连结构电性连接至该射频构件，且该半导体基底的厚度小于该互连结构的厚度；通孔，从该半导体基底的该后侧穿过该半导体基底形成，且连接至该互连结构；以及硅通孔结构，设置于该通孔内。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||