使用硅穿孔的集成电路设计

摘要

本文描述了在集成电路（IC）结构中，根据电路系统的物理布局的硅穿孔（TSV）的定位。IC结构可以包括多个第一电路元件（Dl、Gl和S；702、706、710和714；702、706、704和708）；多个第二电路元件（D2、G2和S；704、708、712和716；或710、714、712和716）；多个第一TSV（410和510；605到620；或720到734）；以及多个第二TSV（415和505；625到640；或736到750）。所述第一电路元件和所述第二电路元件与所述第一TSV和所述第二TSV共同包含电路块配置。所述电路块配置相对于至少一个对称轴为对称的。所述第一TSV中的至少一者为虚拟TSV，在没有所述虚拟TSV的情况下，所述电路块配置将不对称。

主权项

一种集成电路(IC)结构，其包含：硅晶片；实施于所述硅晶片上的多个第一电路元件；实施于所述硅晶片上的多个第二电路元件；从所述硅晶片的第一表面延伸到所述硅晶片的第二表面延伸的多个第一硅穿孔(TSV)；以及从所述硅晶片的所述第一表面延伸到所述硅晶片的所述第二表面延伸的多个第二TSV，其中所述第一电路元件和所述第二电路元件与所述第一TSV和所述第二TSV共同包含电路块配置；其中所述电路块配置相对于至少一个对称轴为对称的；以及其中所述第一TSV中的至少一者为虚拟TSV，在没有所述虚拟TSV的情况下，所述电路块配置将不对称，每一个虚拟TSV不会传递数据信号，并且所述虚拟TSV和所述多个第二TSV中的一个TSV与所述第一多个电路元件中的一个电路元件等距。