一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体发光二极管领域。所述发光二极管外延片从下至上依次为：衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层中，至少有一个所述量子垒层为p型掺杂的量子垒层，且靠近所述n型掺杂的In_xAl_yGa_1-x-yN层的1~25个所述量子垒层中，至少一个所述量子垒层为p型掺杂的量子垒层。所述制备所述外延片的方法，所述方法包括在所述衬底上依次生长低温缓冲层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层、n型掺杂的In_xAl_yGa_1-x-yN层和p型层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。本发明所述的发光二极管外延片有效提高了二极管发光效率。

主权项

一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括量子垒层和与所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述多量子阱层和所述p型层之间的n型掺杂的In_xAl_yGa_1‑x‑yN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，所述多量子阱层中，靠近所述n型掺杂的In_xAl_yGa_1‑x‑yN层的1～25个所述量子垒层中，至少一个所述量子垒层为p型掺杂的量子垒层，所述多量子阱层中最靠近所述n型掺杂的In_xAl_yGa_1‑x‑yN层的所述量子垒层为所述p型掺杂的量子垒层，而其它所述量子垒层是不掺杂的，所述最靠近所述n型掺杂的In_xAl_yGa_1‑x‑yN层的量子垒层的厚度大于所述多量子阱层中其他所述量子垒层，其他所述量子垒层的厚度为12nm，所述最靠近所述n型掺杂的In_xAl_yGa_1‑x‑yN层的量子垒层的厚度为16nm。