| 发明名称 | EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105629657A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201510843839.6 | 申请日期 | 2015.11.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 |
| 分类号 | G03F1/24(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/24(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种光刻掩模，包括：衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||