液晶显示面板、TFT基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT基板的制造方法，包括：在衬底层形成第一金属层；在第一金属层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体活性层；形成第二金属层，其中，第二金属层包括设置在半导体活性层上的漏极和源极以及设置在第一绝缘层上的第一公共电极层；在第二金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成树脂层；在树脂层上形成ITO层，其中，ITO层包括第二公共电极层；其中，第一公共电极层和第二公共电极层分别与TFT基板的透光区域对应设置。本发明还公开一种液晶显示面板和TFT基板。通过上述方式，本发明能够增大存储电容的容量，避免因增加存储电容的容量而造成的开口率下降的问题发生。

主权项

一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底层形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成半导体活性层；形成第二金属层，其中，所述第二金属层包括设置在所述半导体活性层上的漏极和源极以及设置在所述第一绝缘层上的第一公共电极层；在所述第二金属层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成树脂层；在所述树脂层上形成ITO层，其中，所述ITO层包括第二公共电极层；其中，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别与所述TFT基板的透光区域对应设置。