一种石墨烯电化学复合掺杂方法

摘要

本发明涉及一种石墨烯电化学复合掺杂方法，其步骤为：步骤一，配制电解质溶液；步骤二，将生长有石墨烯的铜箔基底浸入电解质溶液，连接电源作为工作电极；步骤三，启动电源，在附着在铜箔基底上的石墨烯表面电聚合一层导电高分子，形成导电高分子/石墨烯/铜箔的复合结构；步骤四，将导电高分子/石墨烯/铜箔取出，浸于清洗剂中浸洗并干燥；步骤五，将导电高分子/石墨烯与铜箔分离，转移到目标基底。本发明的有益效果是：采用可控性高、简便易行的电化学聚合方法，在石墨烯表面原位形成一层厚度均匀的高导电率掺杂层，对石墨烯形成均匀稳定的掺杂效果；此外，所形成的导电高分子膜可以有效支撑石墨烯薄膜，提高其力学强度。

主权项

一种石墨烯电化学复合掺杂方法，其特征在于，操作步骤如下：步骤一，配制电解质溶液，其组成为：水溶性电解质、去离子水和导电高分子前驱体；所述导电高分子前驱体为噻吩、噻吩的衍生物、吡咯或苯胺中的任意一种；所述导电高分子前驱体浓度为0.01～0.1mol/L；步骤二，将生长有石墨烯(002)的铜箔基底(001)浸入电解质溶液，连接电源作为工作电极；步骤三，开启电源，在附着在铜箔基底(001)上的石墨烯(002)表面电聚合一层导电高分子薄膜(003)，形成导电高分子薄膜/石墨烯/铜箔的复合结构1；所述导电高分子薄膜(003)厚度为1‑10nm；步骤四，将导电高分子薄膜/石墨烯/铜箔取出，浸于清洗剂中浸洗并干燥；所述浸洗时间为1～3min；步骤五，将导电高分子/石墨烯与生长基底铜箔分离，转移到目标基底(004)表面，形成目标基底(004)/导电高分子薄膜(003)/石墨烯(002)的掺杂复合结构；导电高分子薄膜(003)位于石墨烯(002)和转移目标基底(004)之间，所述目标基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。