| 发明名称 | 接合用银片及其制造方法，以及电子部件接合方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供采用3MPa以下的低加压力得到高接合强度的接合用银片。该银片是粒径1～250nm的银粒子通过烧结而一体化的银片，升温至满足270≤T<sub>A</sub><T<sub>B</sub>≤350的T<sub>3A</sub>～T<sub>B</sub>(℃)进行保持时，具有进一步进行烧结的性质的接合用银片。该银片是通过如下制造：把包含粒径1～250nm的银粒子的银粉、与在200℃以下的温度区域进行挥发的分散介质混合的银糊的涂膜，在不发生烧结的温度区域加热处理后，于赋予5～35MPa加压力的状态下，可用170～250℃的温度进行烧成的方法来制造。 | ||
| 申请公布号 | CN105637595A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201480056727.X | 申请日期 | 2014.10.06 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 栗田哲;远藤圭一;三好宏昌 |
| 分类号 | H01B5/02(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F5/10(2006.01)I;B22F9/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永红 |
| 主权项 | 接合用银片，其是粒径1～250nm的银粒子通过烧结而一体化的银片，具有升温至满足下述(1)式的某个温度范围“T<sub>A</sub>(℃)以上T<sub>B</sub>(℃)以下”进行保持时进一步进行烧结的性质:270≤T<sub>A</sub><T<sub>B</sub>≤350 ···(1)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||