| 摘要 |
트랜지스터는 기판, 기판 상의 스페이서의 쌍, 기판 상 및 스페이서의 쌍 사이의 유전체층, 게이트 유전체층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 게이트 전극층, 게이트 전극층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 절연 캡층과, 스페이서의 쌍에 인접한 확산 영역의 쌍을 포함한다. 절연 캡층은 에칭 중단 구조를 형성하고 이는 게이트에 대해 자가 정렬되고 콘택 에칭이 게이트 전극을 노출시키는 것으로부터 방지하며, 이렇게 함으로써 게이트와 콘택 사이의 단락을 방지한다. 절연 캡층은 자가 정렬된 콘택이, 더 넓은 콘택의 초기 패터닝을 허용하는 것을 가능하게 하고 이는 패터닝 제한에 대해 더 강건하다. |
