| 摘要 |
본 개시는, RRAM 셀의 효율적인 스위칭을 제공하는, 바닥 전극을 갖는 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 셀, 및 연관된 형성 방법에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, RRAM 셀은 스페이서와 바닥 유전체층으로 둘러싸인 바닥 전극을 갖는다. 바닥 전극, 스페이서, 및 바닥 유전체층은 하부 층간 유전체(ILD)층으로 둘러싸인 하부 금속 상호접속층 위에 배치된다. 가변 저항을 갖는 유전체 데이터 기억층이 바닥 유전체층과 바닥 전극 위에 위치되고, 상부 전극이 유전체 데이터 기억층 위에 배치된다. 스페이서의 배치는 이후에 형성되는 바닥 전극의 폭을 좁게 하여, RRAM 셀의 스위치 효율성을 향상시킨다. |
