エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置

摘要

本発明は、スパッタリング法によって、α‐Ａｌ２Ｏ３基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル膜形成方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係るエピタキシャル膜形成方法は、スパッタリング装置（１）のヒーター電極（１０４）とバイアス電極（１０３）を備えた基板ホルダー（１１１）上に配置されたα‐Ａｌ２Ｏ３基板に対して、ＩＩＩ族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する際に、ヒーター電極（１０４）によってα‐Ａｌ２Ｏ３基板を所定温度に保持した状態で、ターゲット電極（１０２）に高周波電力を印加するとともにバイアス電極（１０３）に高周波バイアス電力を印加され、その際、高周波電力と高周波バイアス電力との周波数干渉が生じないように印加される。