发明名称 Nano-wire resonator having side gate
摘要 측면 게이트를 구비하는 나노와이어 공진기를 개시한다. 개시된 나노와이어 공진기에 따르면, 나노와이어 진동부를 압전 재료로 구성하거나 또는 일반적인 나노와이어에 압전 재료를 코팅하고, 상기 진동부의 양측에 측면 게이트를 더 배치함으로써, 진동부의 강성도를 증가시킬 수 있다. 진동부의 강성도가 증가하게 되면, 진동부의 공진 주파수가 더욱 증가하게 되어 나노와이어 공진기의 Q 팩터가 증가될 수 있다. 따라서, 개시된 나노와이어 공진기는 진동부에 흡착된 물질의 질량을 더욱 높은 측정 정밀도로 측정 가능하게 할 수 있다.
申请公布号 KR101624638(B1) 申请公布日期 2016.05.27
申请号 KR20100046020 申请日期 2010.05.17
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김성민;김현진
分类号 H03H9/12;B82B3/00;H01P7/00 主分类号 H03H9/12
代理机构 代理人
主权项
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