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Procédé de mise en contrainte d'une zone de canal d'un transistor comprenant des étapes de : a) formation de blocs (30b, 30c) de contrainte agencés de manière à induire une contrainte donnée dans une zone semi-conductrice (12a), b) former sur cette zone semi-conductrice (12a) un empilement de grille comprenant un matériau de diélectrique ayant un module d'Young élevé déposé sur et en contact avec le matériau semi-conducteur, c) retirer au moins partiellement les blocs de contrainte (30b, 30c) |
