METHOD PROVIDING AN EPITAXIAL PHOTONIC DEVICE HAVING A REDUCTION IN DEFECTS AND RESULTING STRUCTURE

摘要

기판 표면에 형성되는 트렌치 분리 구역 위에서 횡방향으로, 그리고, 기판 표면 위에서 수직으로 에피택셜-성장하는 광 디바이스의 형성 방법 및 결과적 구조물이 설명된다.