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Procédé de fabrication d'au moins une structure semi-conductrice de canal de transistor contraint, comprenant les étapes de formation, sur une zone semiconductrice destinée à former une région de canal d'un transistor, d'un bloc de grille sacrificielle et d'espaceurs isolants (17a) agencés contre des faces latérales du bloc de grille sacrificielle ; formation de régions sacrificielles (20) contre des faces latérales de ladite zone semi-conductrice, lesdites régions sacrificielles (20) étant configurées pour appliquer une contrainte sur ladite zone semi-conductrice; suppression dudit bloc de grille sacrificielle entre lesdites espaceurs isolants (17a) ; remplacement dudit bloc de grille sacrificielle par un bloc de grille de remplacement entre lesdites espaceurs isolants (17a) ; suppression desdites régions sacrificielles (20) ; et remplacement desdites régions sacrificielles (20) par des régions de remplacement contre des faces latérales de ladite zone semi-conductrice. |
