发明名称 DOPED GRAPHENE
摘要 저압 조건 하에 그래핀 요소 및 도펀트를 배치하는 단계, 및 저압 조건 하에 있는 동안, 상승된 온도에서 일정 시간동안 그래핀 요소 및 도펀트를 유지시키는 단계를 포함하여 균일하게 또는 실질적으로 균일하게 도핑된 상대적으로 대면적의 다층의 그래핀 요소를 제조하는 방법들이 기술된다. 하나의 구성에서, 개구들은 도핑에 앞서 상대적으로 대면적의 다층의 그래핀 요소 내에 형성된다. 다른 구성에서, 에피택셜 성장 기술에 의해 형성되는 상대적으로 대면적의 다층의 그래핀 요소가 이용된다. 본 발명은 또한 앞서 언급한 기술들을 이용하여 제조된 요소에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160060141(A) 申请公布日期 2016.05.27
申请号 KR20167011576 申请日期 2014.09.26
申请人 UNIVERSITY OF EXETER 发明人 RUSSO SAVERIO;CRACIUN MONICA;BOINTON THOMAS HARDISTY
分类号 C01B31/04;B82Y40/00 主分类号 C01B31/04
代理机构 代理人
主权项
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