| 发明名称 |
希土類酸化物ゲート誘電体を備えた、シリコン基板上に成長したＩＩＩ−Ｎ半導体素子 |
| 摘要 |
【課題】シリコン基板上に成長したIII-N素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】当該III-N素子は、シリコン基板10上に配置され、シリコン基板10の表面と実質的に結晶格子整合する単結晶応力補償テンプレート11を含む。GaN層12が応力補償テンプレートの表面に置かれ、実質的にそれに結晶格子整合する単結晶III-N材料の活性層14が、GaN層12の上に成長し、さらに単結晶希土類酸化物誘電体層16が、前記単結晶III-N材料の活性層14上に成長している。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2016515299(A) |
申请公布日期 |
2016.05.26 |
| 申请号 |
JP20150559236 |
申请日期 |
2014.01.06 |
| 申请人 |
トランスルーセント インコーポレイテッドＴＲＡＮＳＬＵＣＥＮＴ， ＩＮＣ． |
发明人 |
ダルギス，リティス;スミス，ロビン;クラーク，アンドリュー;アルクン，エルデム;レビー，マイケル |
| 分类号 |
H01L21/336;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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