发明名称 基板をクランプしデクランプする技術
摘要 ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法を開示する。このプラテンは1つ以上の電極を具え、これらの電極に電気バイアスをかけて、ウェハーをプラテンに静電クランプする。電極に第1電圧のバイアスをかけ、この電圧でウェハーを処理することができる。その後に、1つ以上の電圧を後続して電極に印加する。一部の好適例では、後続する各電圧が、前に印加した電圧よりも小さい。他の好適例では、後続する電圧のうち1つ以上を、前に印加した電圧よりも大きくすることができる。こうした電圧の順序により、ウェハーが除去プロセス中にプラテンに付着または粘着する可能性を低減することができる。
申请公布号 JP2016515301(A) 申请公布日期 2016.05.26
申请号 JP20150560210 申请日期 2014.02.19
申请人 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 发明人 イルウン クー;スン−ファン ヒュン
分类号 H01L21/683;H02N13/00 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人
主权项
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