| 发明名称 |
STTM SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY STTM DEVICE WITH HALF-METAL AND METHOD TO WRITE AND READ THE DEVICE |
| 摘要 |
반금속을 갖는 스핀 전달 토크 메모리(STTM) 장치들, 및 장치 기록 및 판독 방법들이 설명된다. 예를 들어, 자기 터널링 접합은 자유 자기층, 고정 자기층, 및 자유 자기층과 고정 자기층 사이에 배치된 유전층을 포함한다. 자유 자기층 및 고정 자기층 중 하나 또는 양자는 유전층과의 계면에 반금속 재료를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR101624815(B1) |
申请公布日期 |
2016.05.26 |
| 申请号 |
KR20147016514 |
申请日期 |
2011.12.19 |
| 申请人 |
인텔 코포레이션 |
发明人 |
쿠오, 찰스 씨.;모자라드, 록사나 골리자데;도일, 브라이언 에스.;켄크케, 데이비드 엘.;오구즈, 칸;차우, 로버트 에스. |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L43/08 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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