发明名称 Porous SIOx materials for improvement in SIOx switching device performances
摘要 A porous memory device, such as a memory or a switch, may provide a top and bottom electrodes with a memory material layer (e.g. SiO
申请公布号 AU2014353091(A8) 申请公布日期 2016.05.26
申请号 AU20140353091 申请日期 2014.11.19
申请人 WILLIAM MARSH RICE UNIVERSITY 发明人 TOUR, JAMES M.;WANG, GUNUK;YANG, YANG;JI, YONGSUNG
分类号 H01L29/04 主分类号 H01L29/04
代理机构 代理人
主权项
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