发明名称 |
压力传感器 |
摘要 |
该压力传感器具备:传感器主体,具有第一面和在所述第一面具有开口的空腔;悬臂,具有支撑在所述第一面上的基端部、以及在所述开口的内侧在与所述开口的周缘之间以形成间隙的方式而配设的前端部,所述悬臂由按照所述空腔的内部和外部的压力差而弯曲变形的半导体材料形成;以及位移测定部,以比按照用G表示所述间隙的宽度(μm)、用V表示所述空腔的容积(ml)、用k表示比例常数的下述式(1)而规定的下限频率f<sub>LOW</sub>(Hz)更大的频率、测定按照所述压力差而振动的所述悬臂的位移。 <img file="dest_path_image001.GIF" wi="271" he="26" />。 |
申请公布号 |
CN104272074B |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201380022589.9 |
申请日期 |
2013.03.19 |
申请人 |
精工电子有限公司;国立大学法人东京大学 |
发明人 |
下山勋;松本洁;高桥英俊;阮明勇;筱原阳子;内山武;大海学;新荻正隆 |
分类号 |
G01L9/00(2006.01)I;G01L13/06(2006.01)I;H01L29/84(2006.01)I |
主分类号 |
G01L9/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
何欣亭;姜甜 |
主权项 |
一种压力传感器,其特征在于,具备:传感器主体,具有第一面和在所述第一面具有开口并且与所述开口连通的空腔;悬臂,具有支撑在所述第一面上的基端部、以及在所述开口的内侧在与所述开口的周缘之间以形成间隙的方式而配设的前端部,所述悬臂由按照所述空腔的内部和外部的压力差而弯曲变形的半导体材料形成;以及位移测定部,以比按照用G表示所述间隙的宽度、用V表示所述空腔的容积、用k表示比例常数的下述式(1)而规定的下限频率f<sub>LOW</sub>更大的频率、测定按照所述压力差而振动的所述悬臂的位移,<img file="831845dest_path_image001.GIF" wi="271" he="26" />其中所述间隙的宽度单位是μm,所述空腔的容积单位是ml,所述下限频率f<sub>LOW</sub>的单位是Hz。 |
地址 |
日本千叶县千叶市 |