发明名称 晶圆片级芯片封装凸点的返工方法
摘要 本发明公开了一种晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,包括以下步骤:(1)去除凸点:使用第一湿法蚀刻液进行凸点溶解,形成表面焊锡附着残留;(2)去除表面焊锡附着残留:去除表面焊锡附着残留后裸露出凸块焊盘和钝化层,所述凸块焊盘的下方设有IMC,Intermetallic compound合金层;(3)去除凸块焊盘和IMC合金层;(4)去除14:得到的晶圆片为重新分布层的再布线状态。本发明为了使晶圆不造成报废和不具有较大的良率损失,本发明的工艺方法可以使用蚀刻技术将bump进行去除,并将wafer(晶圆片)恢复到RDL再布线状态,最终重新开始加工流程。
申请公布号 CN105609434A 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201510994374.4 申请日期 2015.12.25
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 钱泳亮
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人 孟阿妮;郭栋梁
主权项 一种晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)去除凸点:使用第一湿法蚀刻液进行凸点溶解,形成表面焊锡附着残留;(2)去除表面焊锡附着残留:去除表面焊锡附着残留后裸露出凸块焊盘和钝化层,所述凸块焊盘的下方设有IMC,Intermetallic compound合金层;(3)去除凸块焊盘和IMC合金层;(4)去除钝化层:得到的晶圆片为重新分布层的再布线状态。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号