| 发明名称 | 伪FinFET结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种FinFET器件可以包括与有源FinFET结构横向相邻的伪FinFET结构，从而减小了有源FinFET结构上的应力失衡和应力失衡的影响。该FinFET器件包括：包括有多个半导体鳍状件的有源FinFET以及包括有多个半导体鳍状件的伪FinFET。有源FinFET以及伪FinFET彼此横向地间隔了与有源FinFET的鳍状件间距相关的距离。本发明还提供了一种伪FinFET结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103378155B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201210571175.9 | 申请日期 | 2012.12.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 卢昶伸;彭治棠;黄泰钧;郑培仁;连浩明;林逸宏;李资良;章勋明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：有源FinFET，位于衬底上方，其中，所述有源FinFET包括一个或多个有源半导体鳍状件，所述有源FinFET具有四个面；第一伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第一伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第一伪FinFET与所述有源FinFET的第一面横向相邻；第二伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第二伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第二伪FinFET与所述有源FinFET的第二面横向相邻；第三伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第三伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第三伪FinFET与所述有源FinFET的第三面横向相邻；以及第四伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第四伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第四伪FinFET与所述有源FinFET的第四面横向相邻。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||