| 发明名称 | 一种复合结构SiC芯片的激光分离方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复合结构SiC芯片的激光分离方法，能够很安全地实现多层复合结构SiC圆片的切割，并且不会破坏SiC外延片正面的介质和背面的金属，大大提高了良品率和切割效率，降低了SiC生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105598594A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510955804.1 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 刘昊;陈刚;柏松 |
| 分类号 | B23K26/53(2014.01)I;B23K26/082(2014.01)I;B23K101/40(2006.01)N | 主分类号 | B23K26/53(2014.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种复合结构SiC芯片的激光分离方法，其特征在于：包括如下的步骤：S1：在SiC外延片(103)上完成复合结构SiC圆片的制备；S2：测量复合结构SiC圆片切割道区域的厚度；S3：把复合结构SiC圆片贴在划片膜上，划片膜设于切割片架上；S4：测量复合结构SiC圆片切割道区域与划片膜的总厚度；S5：通过激光扫描在SiC外延片(103)背面的最底层金属(104)与SiC外延片(103)背面之间形成第一SD层；S6：通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/4处形成第二SD层；S7：通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/3处形成第三SD层；S8：通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/2处形成第四SD层；S9：通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面3/4处形成第五SD层；S10：通过激光扫描在SiC外延片(103)正面的最底层介质(102)与SiC外延片(103)正面之间形成第六SD层；S11：对全部扫描完后的复合结构SiC圆片进行裂片，形成复合结构SiC芯片。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号 | ||