发明名称 一种衰减片的制作方法
摘要 本发明属于衰减片生产加工领域,具体涉及一种功率为2瓦的1dB衰减片的制作方法,包括以下步骤:采用HFSS软件仿真、设计出衰减片图形;在氧化铝陶瓷基片上溅射电阻和电极层;电镀加厚金电极;光刻出电极和电阻图形;砂轮划片,分割出独立衰减片单元;用热氧化调阻的方法调整输入、输出阻抗;在衰减片的输入、输出端涂覆导电银浆料。采用本发明的方法制作的衰减片,使用频率能达到18GHz,在使用频率内的衰减精度1dB±0.4dB,驻波比≤1.3,输入、输出阻抗50±1Ω。
申请公布号 CN105609919A 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201510987494.1 申请日期 2015.12.27
申请人 中国电子科技集团公司第四十三研究所 发明人 刘牛;宣扬;李鸿高;宋泽润
分类号 H01P11/00(2006.01)I 主分类号 H01P11/00(2006.01)I
代理机构 合肥天明专利事务所 34115 代理人 金凯;孙永刚
主权项 一种衰减片的制作方法,其特征在于包括以下步骤:步骤(101)、采用HFSS软件仿真、设计出衰减片图形;步骤(102)、在氧化铝陶瓷基片上溅射电阻和电极层;步骤(103)、电镀加厚金电极;步骤(104)、光刻出电极和电阻图形;步骤(105)、砂轮划片,分割出独立衰减片单元;步骤(106)、用热氧化调阻的方法调整输入、输出阻抗;步骤(107)、在衰减片的输入、输出端涂覆导电银浆料。
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