低温快速热处理的温度监控方法

摘要

一种低温快速热处理的温度监控方法，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；对所述半导体衬底进行低温快速热处理；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。本发明基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，提高了在低温快速热处理温度范围内所述监测的准确性。

主权项

一种低温快速热处理的温度监控方法，其特征在于，在MOS制作工艺中的形成硅化镍的低温快速热处理过程中，基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，以避免镍原子的扩散所引起的衬底缺陷，所述温度监控方法包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；在所述半导体衬底中的掺杂离子被激活后，对所述半导体衬底进行低温快速热处理，使得半导体衬底的衬底参数随低温快速热处理的反应温度变化而明显变化；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度；其中，所述衬底参数为热波值。