发明名称 | 多层相变存储器 | ||
摘要 | 相变层可以响应电激励在较多和较少导电状态之间转换。相变层可以布置在起电极、电阻加热器和绝缘隔板作用的非转换双向材料的上面。相变层可以布置在起电极、电阻加热器和热障作用的非转换双向材料的上面。 | ||
申请公布号 | CN103258569B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
申请号 | CN201310115877.0 | 申请日期 | 2004.07.26 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B.G.约翰逊;S.J.赫金斯 |
分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐予红;王忠忠 |
主权项 | 一种用于形成多层相变存储器的方法,包括:形成在较多导电状态和较少导电状态之间变化的相变材料;以及在所述相变材料的上面和所述相变材料的下面形成结晶的非转换双向材料并且使所述相变材料与所述结晶的非转换双向材料接触,其中所述结晶的非转换双向材料永久地是低电阻率使得将较均匀的电流和较好的热隔离供给夹在当中的相变材料。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |