一种半导体器件的替代栅集成方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件的替代栅集成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成阱区域，定义N型器件区域和/或P型器件区域；在N型器件区域和/或P型器件区域上分别形成牺牲栅堆叠，牺牲栅堆叠包括牺牲栅介质层和牺牲栅电极层，其中，牺牲栅介质层位于半导体衬底上，牺牲栅电极层位于牺牲栅介质层上；环绕牺牲栅堆叠形成侧墙；在牺牲栅堆叠两侧且嵌入半导体衬底形成源/漏区；在半导体衬底上形成SiO₂层；在SiO₂层上旋涂SOG；对SOG进行刻蚀至SiO₂层露出；对SOG与SiO₂层进行速率差刻蚀，实现SiO₂层表面平坦化；随后分别在N型器件区域形成N型替代栅堆叠，和/或在P型器件区域形成P型替代栅堆叠。

主权项

一种半导体器件的替代栅集成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阱区域，定义N型器件区域和/或P型器件区域；在所述N型器件区域和/或P型器件区域上分别形成牺牲栅堆叠，所述牺牲栅堆叠包括牺牲栅介质层和牺牲栅电极层，其中，所述牺牲栅介质层位于所述半导体衬底上，所述牺牲栅电极层位于所述牺牲栅介质层上；环绕所述牺牲栅堆叠形成侧墙；在所述牺牲栅堆叠两侧且嵌入所述半导体衬底形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成SiO₂层；直接在所述SiO₂层上旋涂旋转涂布玻璃SOG；对所述SOG进行刻蚀至所述SiO₂层露出；在SOG与SiO₂层界面处采用干法刻蚀工艺刻蚀SOG与SiO₂，SOG与SiO₂的刻蚀速率比例为1∶1.2至1∶2，实现SiO₂层表面平坦化；随后分别在N型器件区域形成N型替代栅堆叠，和/或在P型器件区域形成P型替代栅堆叠。