具有分隔器件载体区域的沟槽结构的器件载体复合结构与用于制造多个器件载体区域的方法

摘要

本发明提出一种具有多个器件载体区域（10）的器件载体复合结构（1），所述器件载体区域（10）设置为用于固定半导体器件。器件载体复合结构（1）具有载体本体（2），例如为半导体晶片，所述载体本体具有第一主面（21）。在所述载体本体（2）中，在第一主面（21）一侧，构成具有沿着第一方向彼此平行伸展的第一沟槽（31）的沟槽结构（3），其中第一沟槽（31）在横向于沟槽（31）伸展的第二方向上对器件载体区域（10）限界。覆层（4）构成在载体本体（2）上，以至于器件载体区域（10）分别具有载体本体（2）的至少局部被覆层的第一主面（21）和所述沟槽结构（3）的至少局部被覆层的侧面（5）。此外，提出一种用于制造多个器件载体区域（10）的方法。在载体本体（2）中在第一主面（21）一侧构成沟槽结构（3），随后构成覆层（4）并且在其第二主面（22）一侧使载体本体（2）变薄，使得沟槽结构（3）至少局部地在倾斜或者垂直于第一主面（21）伸展的方向上完全延伸穿过载体本体（2）。沟槽结构（3）特别能够构成为网格状的或者条带状的，以至于载体本体（2）在变薄时被分为分别具有多个器件载体区域（10）的彼此分隔的器件载体条带或者器件载体区域（10）。

主权项

一种具有多个器件载体区域(10)的器件载体复合结构(1)，所述器件载体区域(10)设置为用于固定半导体器件，其中：‑所述器件复合结构具有载体本体(2)，所述载体本体具有第一主面(21)，‑在所述载体本体中，在所述第一主面一侧，构成具有沿着沿所述第一主面(21)伸展的第一方向伸展的第一沟槽(31)的沟槽结构(3)，其中所述第一沟槽在横向于所述第一沟槽伸展的第二方向上对所述器件载体区域限界；‑在所述载体本体上构成覆层(4)，以至于所述器件载体区域分别具有所述载体本体的至少局部覆层的第一主面和所述沟槽结构的至少局部覆层的侧面(5)；‑所述载体本体基于半导体材料；‑所述第一沟槽沿着所述第一方向仅局部地在所述载体本体之上延伸并且所述载体本体构成为连续的；以及‑所述载体本体的与所述第一主面相对置的第二主面(22)没有用于所述覆层的材料。