| 发明名称 | 相变化存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种相变化存储装置的制造方法包含：提供一基板，其包含至少一存取电路以及至少一第一导电插塞，其中第一导电插塞与存取电路电性连接，且第一导电插塞的一顶表面暴露出来；移除部分第一导电插塞，以形成至少一凹槽；沉积一相变化材料于凹槽中；形成一加热器于相变化材料上；以及形成一顶电极于加热器上。上述制造方法可减少多道遮罩，以简化制造工序以及降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105609631A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510757164.3 | 申请日期 | 2015.11.09 |
| 申请人 | 宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 | 发明人 | 陶义方 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭蔚 |
| 主权项 | 一种相变化存储装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，其包含至少一存取电路以及至少一第一导电插塞，其中该第一导电插塞与该存取电路电性连接，且该第一导电插塞的一顶表面暴露出来；移除部分该第一导电插塞，以形成至少一凹槽；沉积一相变化材料于该凹槽中；形成一加热器于该相变化材料上；以及形成一顶电极于该加热器上。 | ||
| 地址 | 315000 浙江省宁波市鄞州工业园区(鄞州区姜山镇新张俞村) | ||