一种具有替换行或列的MRAM芯片及替换、读写方法

摘要

本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，每个阵列包括多个替换行或列，替换行或列用于替换具有坏MRAM存储单元的行或列。本发明提供上述MRAM芯片的替换、读写方法。本发明提供的具有替换行或列的MRAM芯片及替换、读写方法，使用替换行或列来替换具有坏MRAM存储单元的行或列，能够在相同的坏存储单元概率下，大幅度提高MRAM芯片的合格率，从而降低MRAM芯片的成本。

主权项

一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，其特征在于，每个所述阵列包括多个替换行或列，所述替换行或列用于替换具有坏MRAM存储单元的行或列。