发明名称 |
用于控制直拉法硅单晶氧含量的变频磁场装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于控制直拉法硅单晶氧含量的变频磁场装置。变频磁场装置包括PLC控制器、编码器和触摸屏;单晶长度计量器连接编码器,编码器连接PLC控制器,PLC控制器分别与磁场触发板、触摸屏连接,磁场触发板连接磁场电控柜,磁场电控柜连接PLC控制器。本实用新型利用变频磁场装置实现了对磁场强度的控制,不仅降低了磁场能耗,而且又能控制单晶氧含量。设置后的PLC可以对磁场电流进行实时监控,并对磁场强度实现渐变,平缓的调节,若出现报警,可及时反馈给PLC,以关闭磁场实现磁场自我保护。 |
申请公布号 |
CN205258652U |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201521016961.8 |
申请日期 |
2015.12.09 |
申请人 |
天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
发明人 |
孙毅;于书瀚;孙昊;郑海峰;朱鹏浩;王林 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
代理人 |
王凤英 |
主权项 |
一种用于控制直拉法硅单晶氧含量的变频磁场装置,其特征在于,所述的变频磁场装置包括PLC控制器、编码器和触摸屏;单晶长度计量器连接编码器,编码器连接PLC控制器,PLC控制器分别与磁场触发板、触摸屏连接,磁场触发板连接磁场电控柜,磁场电控柜连接PLC控制器。 |
地址 |
300384 天津市西青区华苑产业园区(环外)海泰东路12号 |