发明名称 |
一种快软恢复特性的高压续流二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种快软恢复特性的高压续流二极管,包括阴极和原始硅片,所述原始硅片上设置有阴极区块,所述阴极区块上设置有p+控制区块,所述阴极区块与p缓冲层连接,所述p缓冲层和n缓冲层之间连接有n-区块,所述n缓冲层与阳极区块连接,所述阳极区块上交替设置有n+区块和p+区块。通过增加p缓冲层来改进阴极侧的载流子分布,使得在反向恢复后期,靠近阴极侧的n-区块边缘处剩余更多的载流子,使得反向的电流能以较慢的速度降低到饱和漏电流的水平;通过在阴极区块增加辅助的p+区快,在反向恢复后期,依靠逐渐恢复的方向电压使得附近的pn结的注入增强,反向拖尾电流能得以延续。 |
申请公布号 |
CN205264715U |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201521038050.5 |
申请日期 |
2015.12.15 |
申请人 |
福建安特微电子有限公司 |
发明人 |
黄赛琴;林勇;黄国灿;陈轮兴 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种快软恢复特性的高压续流二极管,包括阴极(2)和原始硅片(1),其特征在于:所述阴极(2)和阳极(8)分别连接在原始硅片(1)的上端和下端,所述原始硅片(1)上设置有阴极区块(10),所述阴极区块(10)上设置有p+控制区块(3),所述阴极区块(10)与p缓冲层(4)连接,所述p缓冲层(4)和n缓冲层(6)之间连接有n‑区块(5),所述n缓冲层(6)与阳极区块(11)连接,所述阳极区块上(11)交替设置有n+区块(7)和p+区块(9)。 |
地址 |
351100 福建省莆田市涵江区赤港华侨经济开发区 |