双层结构电阻型存储器及其制备方法

摘要

本发明属于存储器技术领域，涉及集成于集成电路的后端结构的双层结构电阻型存储器及其制备方法。该双层结构电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，所述存储功能层包含双层阻变材料层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、可靠性高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。

主权项

一种双层结构电阻型存储器，其存储介质层由用作氧供应层的第一存储功能层和用作氧交换层的第二存储功能层组成，其特征在于，所述双层结构电阻型存储器集成于集成电路的后端结构中，其包括：形成于所述后端结构的通孔中的垂直电极；位于所述垂直电极和用于形成所述通孔的介质层之间的第一存储功能层，所述介质层被部分地水平横向刻蚀以形成部分地暴露所述第一存储功能层的水平沟槽；通过对暴露的所述第一存储功能层氧化形成的第二存储功能层；以及在所述水平沟槽中依次形成的金属内电极、半导体层、金属水平电极；其中，所述金属内电极、半导体层和金属水平电极用于形成基于金属‑半导体‑金属结构的双向二极管。