| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：在半导体衬底上形成第一应力层；在第一应力层上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述第一应力层上的第一栅极；去除所述第一栅极以露出所述第一应力层；图形化所述第一应力层，以形成贯穿所述第一应力层的第一开口；向所述第一开口中填充第二应力层材料，直至第二应力层的材料与第一应力层齐平，以形成第二应力层；在所述第二应力层上形成第二栅极。相应地，本发明还提供一种所述的晶体管的形成方法所形成的晶体管。本发明能提高晶体管中电子迁移率，提高晶体管性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103681345B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201210365187.6 | 申请日期 | 2012.09.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一应力层；在第一应力层上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述第一应力层上的第一栅极；去除所述第一栅极以露出所述第一应力层；图形化所述第一应力层，以形成贯穿所述第一应力层的第一开口，所述第一开口为西格玛形；向所述第一开口中填充第二应力层材料，直至第二应力层的材料与第一应力层齐平，以形成第二应力层；在所述第二应力层上形成第二栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||