发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit Substratadapter, Halbleiterelement mit Substratadapter und Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterelements
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines Halbleiterelements (10‘, 10‘‘, 10‘‘‘) mit einem Substratadapter (35‘, 35‘‘, 35‘‘‘), umfassend die Schritte: – Strukturieren eines elektrisch leitenden Metallelements (12), – Aufbringen eines Kontaktierungsmaterials (11) auf eine erste Seite (13) eines Halbleiterelements (10), wobei das Halbleiterelement (10) mit einer zweiten Seite (14) auf einem Transportelement (20) angeordnet ist, – Positionieren des strukturierten Metallelements (12) und des Halbleiterelements (10) derart, dass eine erste Seite (21) des strukturierten Metallelements (12) und die mit dem Kontaktierungsmaterial (11) versehene erste Seite (13) des Halbleiterelements (10) gegenüber angeordnet sind, und – Fügen des strukturierten Metallelements (12) mit dem mit Kontaktierungsmaterial (11) versehenen Halbleiterelement (10).
申请公布号 DE102014117245(A1) 申请公布日期 2016.05.25
申请号 DE201410117245 申请日期 2014.11.25
申请人 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG 发明人 Bleifuß, Martin;Hinrich, Andreas;Klein, Andreas;Schäfer, Michael;Wieseler, Elisa
分类号 H01L21/58;H01L21/60;H01L21/67;H01L21/78 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项
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