一种在多晶硅铸锭坩埚上制备Si₃N₄薄膜的方法

摘要

本发明提出一种在多晶硅铸锭坩埚上制备Si₃N₄薄膜的方法，主要包括制备Si₃N₄粉体、Si₃N₄粉体冷等静压成型以获得Si₃N₄陶瓷靶材毛坯、Si₃N₄陶瓷靶材毛坯进行高温烧结以获得Si₃N₄陶瓷素坯、Si₃N₄陶瓷素坯进行机械加工以获得Si₃N₄陶瓷靶材、真空磁控溅射Si₃N₄涂层等步骤，通过该种方式，不仅能够获得性能稳定、强度高、粘结性强、结构均匀的Si₃N₄涂层，而且可以减少坩埚中杂质浸入硅锭中，进而提供高纯度的多晶硅，避免涂层富集现象，提升电池性能，解决了常规制备Si₃N₄涂层中涂层性能不稳定引起多晶硅质量差等问题，从而改善了多晶硅铸造质量，提升了太阳能转化效率。

主权项

一种在多晶硅铸锭坩埚上制备Si₃N₄薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备Si₃N₄粉体；S2、将所述Si₃N₄粉体置于模具中，在冷等静压机上进行冷等静压成型，获得Si₃N₄陶瓷靶材毛坯；S3、将所述Si₃N₄陶瓷靶材毛坯进行高温烧结，获得Si₃N₄陶瓷素坯；S4、将所述Si₃N₄陶瓷素坯进行机械加工，获得Si₃N₄陶瓷靶材；S5、将所述Si₃N₄陶瓷靶材安装在磁控溅射设备的射频阴极上，抽真空并通入保护气体，在多晶硅铸锭坩埚表面溅射Si₃N₄涂层。