发明名称 一种具有高线性度的电容式压力传感器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种具有高线性度的电容式压力传感器,该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底层、二氧化硅层和多晶硅层;硅衬底层中设有第一空腔和四个下电极;二氧化硅层中设有多晶硅支撑层和第二空腔,第二空腔与第一空腔连通;多晶硅层包括可动敏感薄膜层、四个上电极、多晶硅锚区,每个上电极的一端通过连接杆与可动敏感薄膜层的一端面连接,每个上电极的另一端通过弹性件与多晶硅锚区连接,下电极位于连接杆的下方,且上电极靠近可动敏感薄膜层的端面和下电极远离第一空腔的端面处于同一面中。该压力传感器将纵向的位移变化转为化横向面积变化,具有高线性度,同时压力传感器的上下极板之间是非接触的,提高了器件的可靠性。
申请公布号 CN105606269A 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201510580359.5 申请日期 2015.09.11
申请人 东南大学 发明人 聂萌;包宏权;黄庆安
分类号 G01L1/14(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I 主分类号 G01L1/14(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种具有高线性度的电容式压力传感器,其特征在于,该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底层(1)、二氧化硅层(2)和多晶硅层(3);其中,硅衬底层(1)中设有第一空腔(102)和四个下电极(101),第一空腔(102)贯穿硅衬底层(1),下电极(101)固定连接在硅衬底层(1)的上部,四个下电极(101)布设在第一空腔(102)的四周;二氧化硅层(2)中设有多晶硅支撑层(201)和第二空腔(202),多晶硅支撑层(201)固定连接在硅衬底层(1)的顶面;第二空腔(202)位于多晶硅支撑层(201)的内侧,且第二空腔(202)与第一空腔(102)连通;多晶硅层(3)包括可动敏感薄膜层(301)、四个上电极(302)、多晶硅锚区(303),可动敏感薄膜层(301)和上电极(302)均位于第二空腔(202)正上方,且每个上电极(302)的一端通过连接杆(305)与可动敏感薄膜层(301)的一端面连接,每个上电极(302)的另一端通过弹性件(304)与多晶硅锚区(303)连接,连接杆(305)和弹性件(304)相对布设,分别位于上电极(302)两侧;多晶硅锚区(303)固定连接在多晶硅支撑层(201)上;上电极(302)和下电极(101)一一对应,下电极(101)位于连接杆(305)的下方,且上电极(302)靠近可动敏感薄膜层(301)的端面和下电极(101)远离第一空腔(102)的端面处于同一面中。
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