薄膜循环蒸镀方法、半导体制造方法及半导体元件

摘要

本发明涉及薄膜循环蒸镀方法，根据本发明的一实施例，其包括：氧化膜蒸镀步骤，重复进行在装载有对象物的腔的内部注入硅前驱体而在上述对象物上蒸镀硅的蒸镀步骤、在上述腔的内部去除未反应硅前驱体及反应副产物的第1弛放步骤、向上述腔内部供给包含氧的第1反应源而将蒸镀的上述硅形成为包含硅的氧化膜的反应步骤和在上述腔的内部去除未反应的第1反应源和反应副产物的第2弛放步骤；及等离子体处理步骤，向上述腔的内部提供由包含氮的第2反应源生成的等离子体来处理上述包含硅的氧化膜。

主权项

一种薄膜循环蒸镀方法，其特征在于，包括：氧化膜蒸镀步骤，重复进行在装载有对象物的腔的内部注入硅前驱体而在上述对象物上蒸镀硅的蒸镀步骤、在上述腔的内部去除未反应硅前驱体及反应副产物的第1弛放步骤、向上述腔内部供给包含氧的第1反应源而将蒸镀的上述硅形成为包含硅的氧化膜的反应步骤和在上述腔的内部去除未反应的第1反应源和反应副产物的第2弛放步骤；及等离子体处理步骤，向上述腔的内部提供由包含氮的第2反应源生成的等离子体来处理上述包含硅的氧化膜。