发明名称 半导体装置及半导体装置的制造方法
摘要 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲,还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中,在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上,具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13),在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。
申请公布号 CN105612614A 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201580002155.1 申请日期 2015.02.20
申请人 富士电机株式会社 发明人 斋藤隆;加藤辽一;西村芳孝;百濑文彦
分类号 H01L23/36(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L23/36(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 俞丹
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:多块绝缘电路基板,该多块绝缘电路基板具备绝缘基板、在所述绝缘基板的正面上与半导体元件连接的电路部、以及在所述绝缘基板的背面上的金属部;金属板,该金属板比所述绝缘电路基板大,并且与所述多块绝缘电路基板的所述金属部接合;以及接合构件,该接合构件接合所述绝缘电路基板和所述金属板,在所述金属板的正面上所述绝缘电路基板相互间隔地配置,并且在所述金属板的背面上具备对应于所述金属部的配置的第一区域和除所述第一区域以外的第二区域,在所述第一区域的至少一部分表面上具备表面加工硬化层,所述第二区域与所述表面加工硬化层的硬度不同。
地址 日本神奈川县