| 发明名称 | GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GeSn多量子阱金属腔激光器，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge<sub>0.88</sub>Sn<sub>0.12</sub>缓冲层，有源层采用应变补偿量子阱结构，Ge<sub>0.88</sub>Sn<sub>0.12</sub>缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge<sub>0.88</sub>Sn<sub>0.12</sub>缓冲层和氮化硅薄膜表面上涂有Ag金属层。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整Sn组分的大小改变应力大小以实现锗锡光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率和光稳定性，加工简单、方便。 | ||
| 申请公布号 | CN105610047A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201610029805.8 | 申请日期 | 2016.01.01 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 舒斌;范林西;吴继宝;陈景明;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 |
| 分类号 | H01S5/125(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/125(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种GeSn多量子阱金属腔激光器，其特征在于，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上的Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge<sub>0.88</sub>Sn<sub>0.12</sub>缓冲层，所述有源层采用应变补偿量子阱结构，所述Ge<sub>0.88</sub>Sn<sub>0.12</sub>缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge<sub>0.88</sub>Sn<sub>0.12</sub>缓冲层和氮化硅掩膜表面上涂有Ag金属层。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||