| 摘要 |
본원은 커패시터 구조를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 오목부의 바닥 및 측벽과 기판 표면 위에 복수의 산화물/질화물/산화물(ONO)층에 의해 분리되어 있는 균일한 두께의 복수의 제1 폴리실리콘(폴리)층을 적층하는 단계를 포함한다. 복수의 제1 폴리층 위에 적층된 제2 폴리층은 ONO층에 의해 분리되어 있고, 오목부의 나머지를 충전한다. 제2 ONO층 및 제2 폴리층의 부분이 제1 화학적 기계 연마(CMP)로 제거된다. 복수의 제1 폴리층의 각각의 상면이 컨택 형성을 위해 노출되도록, 커패시터 구조의 도핑 영역 내에 있지 않은, 표면 위의 제1 ONO층 및 복수의 제1 폴리층 각각의 일부가 제1 패턴 및 에칭 공정으로 제거된다. |
