氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的处理

摘要

本发明的一种实施方式涉及清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，该方法包括用至少一种以下配混物处理氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的步骤：（i）CO和Cl₂在载气中的混合物，使得该混合物中CO和Cl₂的总浓度大于10%（体积比，在载气中）且CO﹕Cl₂比为0.25-5；（ii）在载气中的CCl₄，使得CCl₄浓度大于1%（体积比，在载气中）。优选在600-850℃的温度下进行CCl₄的处理。优选在900-1200℃的温度下进行CO和Cl₂混合物的处理。载气可以是例如He、Ar、N₂或其组合。

主权项

一种清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，所述方法包括：用至少一种以下配混物处理所述氧化硅基烟炱或所述由氧化硅基烟炱制成的烟炱层厚度L>0的制品：(i)CO和Cl₂在载气中的混合物，使得所述混合物中CO和Cl₂的总浓度大于10体积％且CO﹕Cl₂比为0.25‑2,使得CO/Cl₂混合物的处理时间至少为：t_{处理，Cr2O3}＞t_扩散+t_{反应，Cr2O3}其中扩散反应时间是烟炱层厚度L以及CO/Cl₂混合物通过多孔烟炱预制体或疏松氧化硅烟炱的扩散率D_有效的函数，且反应时间为：且L>0,d_p1>0,其中x_Cl2为(y_Cl2)/(y_Cl2+y_CO)，y_Cl2和y_CO分别是氯气和一氧化碳的分压，单位是大气压，L的单位是厘米，D_有效的单位是平方厘米/秒，t_{处理，Cr2O3}、t_扩散、t_反应,Cr2O3的单位均为分钟，T表示温度，单位是°K，d_p1表示Cr₂O₃颗粒的横截面长度或直径，单位是微米；(ii)在载气中的CCl₄，使得CCl₄的浓度大于1体积％，且所述CCl₄的处理在600‑850℃的温度进行，CCl₄的处理时间至少为：t_{处理，ZrO2}＞t_扩散+t_{反应，ZrO2}其中扩散反应时间是烟炱层厚度L以及CCl₄通过多孔烟炱预制体的扩散率D_{有效，CCl4}的函数，为：且L>0；反应时间为：且d_p2>0，其中L的单位是厘米，D_{有效，CCl4}的单位是平方厘米/秒，t_{处理，ZrO2}、t_扩散、t_反应,ZrO2的单位均为分钟，T表示温度，单位是°K，d_p2表示ZrO₂颗粒的横截面长度或直径，单位是微米，y_cl4是四氯化碳的分压，单位是大气压。