| 发明名称 | 具有钝化以及栅极电介质多层结构的GaN高压HFET | ||
| 摘要 | 一种制备用于功率晶体管器件的多层结构的方法，包括：在一个反应腔内，执行氮等离子体撞击，导致直接在基于氮化物的有源半导体层上形成氮化物层。然后，将氮化物层的顶面暴露至第二源。随后的氮氧等离子体撞击导致直接在所述氮化物层上形成氮氧化物层。所述氮化物层包括一个钝化层，所述氮氧化物层包括所述功率晶体管器件的栅极电介质。 | ||
| 申请公布号 | CN103137476B | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201210494905.X | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 电力集成公司 | 发明人 | J·拉姆德尼;L·刘;J·P·爱德华兹 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 徐燕;杨勇 |
| 主权项 | 一种制备用于功率晶体管器件的多层结构的方法，包括：(a)将具有基于氮化物的有源半导体层的晶圆装载到一个反应腔中；(b)在所述反应腔内，将所述基于氮化物的有源半导体层的顶面暴露至第一源；(c)在所述反应腔内，执行氮(N)等离子体撞击，导致直接在所述基于氮化物的有源半导体层上形成一个氮化物层,其中所述第一源包括铝(Al)并且所述氮化物层包括AlN层，或者其中所述第一源包括硅(Si)并且所述氮化物层包括SiN层；(d)在所述反应腔内，将所述氮化物层的顶面暴露至第二源；以及(e)在所述反应腔内，执行氮氧等离子体撞击，导致直接在所述氮化物层上形成氮氧化物层，其中所述氮化物层包括一个钝化层，所述氮氧化物层包括所述功率晶体管器件的栅极电介质，其中所述方法还包括重复步骤(b)和(c)，直至所述氮化物层被形成为2‑10nm的第一厚度，其中使用原子层沉积在所述反应腔中原位形成所述氮化物层和所述氮氧化物层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||