半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN HEMT包括：化合物半导体多层结构、与化合物半导体多层结构的表面接触的插入金属层、形成在插入金属层上的栅极绝缘膜和形成在插入金属层上方的栅极，其中栅极绝缘膜介于栅极与插入金属层之间。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体层；与所述半导体层的表面接触的第一下部导电层；与所述半导体层的所述表面接触的第二下部导电层；形成在所述第一下部导电层上和所述第二下部导电层上的绝缘膜；形成在所述第一下部导电层上方的第一上部导电层，所述绝缘膜介于所述第一下部导电层和所述第一上部导电层之间；以及形成在所述第二下部导电层上方的第二上部导电层，所述绝缘膜介于所述第二下部导电层和所述第二上部导电层之间，其中所述第一下部导电层和所述第二下部导电层在所述半导体层上在平面图中彼此分隔开，其中用于所述第一上部导电层的区域与所述第一下部导电层垂直地对准，并且用于所述第二上部导电层的区域与所述第二下部导电层垂直地对准，其中所述绝缘膜在所述第一下部导电层和所述第一上部导电层之间的厚度薄于所述绝缘膜在所述第二下部导电层和所述第二上部导电层之间的厚度。