发明名称 发光元件、发光装置、以及电子设备
摘要 本发明的目的在于提供一种发光效率高的发光元件。尤其是,本发明的目的在于提供一种发光效率高的白色发光元件。另外,本发明的目的还在于通过使用这些发光元件提供耗电量低的发光装置及电子设备。通过将由二芳基氨基取代的芳基与9,10-二芳基蒽的2位结合的2,9,10-三芳基蒽衍生物用于发光元件,可以获得高效率的发光元件。该蒽衍生物的发光波长特别适合于白色发光元件。通过将该蒽衍生物用于白色发光元件,可以获得高效率的白色发光元件。
申请公布号 CN103258963B 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201310125873.0 申请日期 2008.08.29
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 牛窪孝洋;濑尾哲史
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 吴宗颐
主权项 一种发光装置,包括:第一阳极,在所述第一阳极上的第一发光层,与所述第一发光层直接接触的第二发光层,在所述第二发光层上的第一阴极,在所述第一阴极上并与所述第一阴极直接接触的第二阳极,在所述第二阳极上的第三发光层,和在所述第三发光层上的第二阴极;其中,所述第一至第三发光层中的每一层具有最大发光峰,其中,所述最大发光峰中的每一个位于下述区域之一:400nm以上且低于500nm的第一波长区域、500nm以上且低于600nm的第二波长区域和600nm以上且低于700nm的第三波长区域,其中,所述第一至第三波长区域中的每一个只具有一个所述最大发光峰,其中,所述第一和第二发光层之一包括由通式(1)表示的蒽衍生物,<img file="FDA0000876536130000011.GIF" wi="1102" he="356" />其中,Ar<sup>1</sup>和Ar<sup>2</sup>分别表示碳数为6至25的芳基,Ar<sup>3</sup>表示碳数为6至25的亚芳基,A表示由通式(1‑1)至(1‑3)表示的任一种取代基,<img file="FDA0000876536130000012.GIF" wi="966" he="231" /><img file="FDA0000876536130000021.GIF" wi="1054" he="862" />Ar<sup>11</sup>至Ar<sup>13</sup>分别表示碳数为6至25的芳基,α表示碳数为6至25的亚芳基,Ar<sup>21</sup>表示碳数为6至25的芳基,R<sup>31</sup>表示氢原子、碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种,R<sup>32</sup>表示碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种,Ar<sup>31</sup>表示碳数为6至25的芳基,β表示碳数为6至25的亚芳基,且R<sup>41</sup>和R<sup>42</sup>分别表示氢原子、碳数为1至4的烷基、碳数为6至25的芳基及碳数为1至4的卤代烷基中的任一种。
地址 日本神奈川