三维量子阱晶体管及其形成方法

摘要

一种三维量子阱晶体管及其形成方法，所述三维量子阱晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成缓冲层；刻蚀所述缓冲层，形成鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘层；在所述鳍部表面形成量子阱层；在所述量子阱层表面形成势垒层；在所述势垒层上方形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括位于势垒层表面的栅介质层和位于栅介质层表面的栅极；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述栅极结构和侧墙两侧的鳍部位置形成源极和漏极。所述三维量子阱晶体管的形成方法，能够提高晶体管的性能和热稳定性。

主权项

一种三维量子阱晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成绝缘的缓冲层；刻蚀所述缓冲层，形成鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层表面低于鳍部的顶部；在所述鳍部表面形成量子阱层；在所述量子阱层表面形成势垒层；在所述绝缘层表面和势垒层表面形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括位于绝缘层表面和势垒层表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述栅极结构和侧墙两侧的鳍部内形成源极和漏极。